"Появление DDR3-модулей давно ожидалось на рынке, – говорит Дженн Марки (Jenn Markey), вице-президент SI по маркетингу, – неожиданностью является лишь тот факт, что Qimonda и Micron смогли обойти в гонке признанного технологического лидера в этой области компанию Samsung".

Напомним, что ожидаемые в течение 2007 года модули памяти стандарта DDR3 обещают увеличить пропускную способность подсистемы памяти до 1600 Мбит/с, что вдвое больше чем у применяемых сейчас аналогов. Модули DDR3, благодаря пониженному с 1,8 В до 1,5 В рабочему напряжению, равно как и многочисленным улучшениям разводки сигнальных линий и корпусировки модуля, обещают значительно уменьшить количество потребляемой энергии и рассеиваемого тепла, что особенно важно для мобильных компьютеров с автономным питанием.

Ожидается, что Micron начнет производство DDR3-чипов емкостью 1 Гбит и рабочей частотой 800 МГц, а также предложит вниманию партнеров тестовые образцы 2-гигабитных модулей уже в середине 2007 года.

Информация с www.3dnews.ru