В начале этого месяца у источника информации были сведения о том, что Hynix хочет перейти к началу производства 54-нм продукции DRAM (dynamic random access memory) в третьем квартале этого года. Конкурент в лице Samsung планировал выпуск 56-нм продукции в конце второго квартала.

По новым данным источника Hynix, подтвердившая эту информацию на днях, начнет производство DRAM-чипов по новым нормам уже в следующем месяце после проведения серии тестов опытных образцов. Сейчас, напомним, компанией освоен 66-нм техпроцесс, по которому и выпускаются чипы памяти.

Но опередить или поравняться с Samsung по показателю «кто раньше начнет делать более тонкую память» у Hynix вряд ли получится, поскольку первая уже начала производство 56-нм DRAM в этом месяце.

Информация с www.ixbt.com