Напомним, что MRAM является реинкарнацией магнитной памяти на рынке, откуда она была полностью вытеснена полупроводниковыми аналогами в семидесятые годы прошлого столетия. Элементы памяти формируются двумя ферромагнитными слоями, разделенными тонкой изолирующей прослойкой. Память имеет ячеистую структуру; каждая отдельная ячейка содержит элемент памяти и транзистор. Считывание информации осуществляется измерением электрического сопротивления ячейки.

Преимущества памяти MRAM над полупроводниковыми аналогами сводятся к двум основным положениям. Во-первых, в отличие от динамической памяти, MRAM энергонезависима, т.е. ее ячейки способны сохранять информацию даже после выключении питания. Во-вторых, скорость чтения и записи данных у MRAM-чипов значительно превосходят таковые для чипов флэш-памяти; последняя проигрывает и по времени хранения данных в ячейках, и по количеству циклов перезаписи.

Разработка памяти MRAM проводится с 90-х годов прошлого столетия. Первые рабочие прототипы были представлены компанией Honeywell в 1997 году. Серьезными успехами на этом поприще способны похвастать компании Toshiba, IBM и, особенно, NEC. Однако первой в гонке за коммерческим воплощением идеи преуспела компания Motorola, передавшая свои полномочия на разработку MRAM компании Freescale, после выделения последней в самостоятельное предприятие в 2004 году. Первый коммерческий чип MRAM был представлен Freescale в июле 2006 года.