Компании Elpida Memory и United Microelectronics Corporation (UMC) официально сообщили о начале совместной работы над программой, которая должна привести к созданию микросхем оперативной памяти с использованием low-k-материалов (характеризующихся низкой диэлектрической постоянной, относительно оксида кремния). В рамках программы планируется разработка технологии изготовления еще и микросхем памяти на основе процесса фазового перехода (phase-change random access memory - PRAM).

Согласно обоюдному соглашению, Elpida получит лицензию на изготовление микросхем с применением low-k-технологии, тогда как UMC получит лицензионные права на технологию изготовления сложных SoC-микросхем (System-on-Chip). Помимо этого обе компанию будут работать над развитием PRAM-памяти, в том числе используя разработки Elpida в области создания GST-материалов (GeSbTe – германий-сурьма-теллур), которые применяются при изготовлении PRAM-памяти, и технологий изготовления CMOS-микросхем, принадлежащих компании UMC.

Как считают разработчики, совместные исследования должны привести к созданию более производительных микросхем оперативной памяти, а также ускорить выпуск PRAM-памяти на мировой рынок.

Информация с www.3dnews.ru